恭喜千帆智能科技(天津)有限公司王闻宇获国家专利权
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龙图腾网恭喜千帆智能科技(天津)有限公司申请的专利一种具有双负电磁性能的聚吡咯薄膜及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118978727B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411268877.9，技术领域涉及：C08J5/18；该发明授权一种具有双负电磁性能的聚吡咯薄膜及其制备方法与应用是由王闻宇;王一璠;金欣;钱晓明;朵永超设计研发完成，并于2024-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有双负电磁性能的聚吡咯薄膜及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有双负电磁性能的聚吡咯薄膜及其制备方法与应用，属于电磁超材料技术领域。本发明通过冷冻界面聚合的方法，将吡咯单体在氧化剂冷冻后形成的界面上进行聚合，从而得到了介电常数和磁导率均为负值的聚吡咯薄膜，并且氧化剂冷冻形成的冷冻界面为聚吡咯薄膜提供了限制空间，进而可以获得轻、薄、尺寸和结构可控的聚吡咯薄膜。本发明提供的制备方法工艺简单、成本低，可以构建完整的平面分子结构，且能够得到单独的具有双负电磁性能的聚吡咯薄膜。
本发明授权一种具有双负电磁性能的聚吡咯薄膜及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种具有双负电磁性能的聚吡咯薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将氧化剂溶液冷冻，得到冰状氧化剂；将所述冰状氧化剂和吡咯溶液混合后进行冷冻界面聚合，经解冻，得到所述具有双负电磁性能的聚吡咯薄膜；所述氧化剂溶液中还包括聚合物；所述氧化剂溶液中氧化剂的浓度为0.2molL，聚合物的浓度为0-20wt％；所述吡咯溶液中还包括单体连接剂；所述吡咯溶液中吡咯的浓度为0.2molL，单体连接剂和吡咯的质量比为1:10-300；所述冷冻界面聚合的温度为-20～0℃，冷冻界面聚合的时间为8-9h。
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