买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜横店集团东磁股份有限公司申请的专利一种具有凸形隔离区结构的TBC太阳能电池的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108462B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411306506.5，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种具有凸形隔离区结构的TBC太阳能电池的制备方法是由吴成坤;任勇;陈德爽设计研发完成，并于2024-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有凸形隔离区结构的TBC太阳能电池的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种具有凸形隔离区结构的TBC太阳能电池的制备方法。首先，本发明通过巧妙的制备方法，可制得具有凸形隔离区结构的TBC太阳能电池，不仅可减少p区（硼扩散区）和n区（磷扩散区）发生短路的概率，还可降低部分硼扩散层或磷扩散层厚度以减少寄生吸收影响；其次，本发明通过优化工艺步骤，实现了单次沉积本征多晶硅层即可得到TBC太阳能电池，可有效提升产品的性能和良品率，并同时显著降低生产成本。

本发明授权一种具有凸形隔离区结构的TBC太阳能电池的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有凸形隔离区结构的TBC太阳能电池的制备方法，其特征在于包括：S1、硅片双面抛光；S2、背面形成隧穿氧化层、本征多晶硅层、掩膜层；掩膜层通过紫外氧化激光处理形成：先在O2流量10~100sccm，环境氧浓度20~40%，波长300~400nm，功率10~500W下处理1~30s生成掩膜层雏形；再在O2流量100~500sccm，环境氧浓度50~90%，波长200~300nm，功率2~50W下处理1~30s形成更致密的掩膜层；S3、开槽去除硼扩散层设计区域的掩膜层；S4、碱清洗；S5、硼扩散，使暴露的本征多晶硅层转为硼扩散层和BSG层；S6、开槽去除剩余掩膜层；S7、碱清洗；S8、磷扩散，使暴露的本征多晶硅层转为磷扩散层、PSG层；S9、绿色激光开槽去除硼扩散层与磷扩散层交界处的BSG层、PSG层，并打松其底部各沉积层；激光波长477~592nm，功率40~100W，处理时间1~5s；S10、紫外激光开槽去除剩余BSG层和剩余PSG层的两侧部分，并打松其底部的硼扩散层表层、磷扩散层表层；激光波长200~400nm，功率10~40W，处理时间1~3s；S11、去除绕镀层；S12、硅片在碱性下同步湿法清洗及制绒，S9打松的沉积层及S10打松的硼扩散层表层和磷扩散层表层被去除，单侧被去除部分的硼扩散层表层、磷扩散层表层的宽为整层的25~40%，高为整层的30~80%，形成凸形隔离区结构；同时硅片正面及背面隔离区形成金字塔绒面；最后酸洗去除残留PSG层和BSG层；S13、双面镀膜；S14、丝网印刷、烧结、光注入。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人横店集团东磁股份有限公司，其通讯地址为：322100 浙江省金华市东阳市横店镇工业区；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。