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龙图腾网恭喜南京大学申请的专利一种抗单粒子烧毁辐照效应的GaN整流器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170656B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411676733.7，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种抗单粒子烧毁辐照效应的GaN整流器件及其制备方法是由周峰;钱俊帆;陆海;徐尉宗;周东;任芳芳设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗单粒子烧毁辐照效应的GaN整流器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种抗单粒子烧毁辐照效应的GaN整流器件及其制备方法，属于半导体技术领域。该GaN整流器件包括背面阴极金属层、n+氮化镓衬底层和n‑氮化镓漂移层，n‑氮化镓漂移层上开设有多个环形槽结构且内部生长有p+氧化镍层，n‑氮化镓漂移层上方设有肖特基接触金属层，p+氧化镍层上方设置有欧姆接触金属层并设置绝缘钝化层进行隔离。绝缘钝化层上开设有第一接触通孔和第二接触通孔，上方生长有相互隔离的正面第一阳极金属层和正面第二阳极金属层，分别通过第一接触通孔和第二接触通孔与肖特基接触金属层和欧姆接触金属层连接。能够解决现有GaN整流器因空穴在阳极附近积累，产生辐照损伤甚至单粒子烧毁的技术问题。

本发明授权一种抗单粒子烧毁辐照效应的GaN整流器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抗单粒子烧毁辐照效应的GaN整流器件，其特征在于，包括自下而上设置的背面阴极金属层1、n+氮化镓衬底层2和n-氮化镓漂移层3，所述n-氮化镓漂移层3上自中心向外开设有多个环形槽结构31，所述多个环形槽结构31内生长有p+氧化镍层4且相互导通，所述n-氮化镓漂移层3上方设有肖特基接触金属层5，所述p+氧化镍层4上方设置有欧姆接触金属层6，所述p+氧化镍层4和所述n-氮化镓漂移层3的邻近处、所述肖特基接触金属层5上方以及所述欧姆接触金属层6上方设置有绝缘钝化层7，所述绝缘钝化层7上开设有与所述肖特基接触金属层5连通的第一接触通孔71以及与所述欧姆接触金属层6连通的第二接触通孔72，所述绝缘钝化层7上方生长有相互隔离的正面第一阳极金属层8和正面第二阳极金属层9，所述正面第一阳极金属层8通过所述第一接触通孔71与所述肖特基接触金属层5连接，所述正面第二阳极金属层9通过所述第二接触通孔72与所述欧姆接触金属层6连接，对应着所述n-氮化镓漂移层3上方所述肖特基接触金属层5的所述正面第一阳极金属层8正常设置0V，对应着所述p+氧化镍层4的所述欧姆接触金属层6的所述正面第二阳极金属层9单独施加负电压。

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