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龙图腾网恭喜长春长光圆辰微电子技术有限公司申请的专利一种TMBS器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421421B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510014086.1，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种TMBS器件的制备方法是由李彦庆;李天成;徐志锋;丛凡超设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种TMBS器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体领域，具体涉及一种TMBS器件的制备方法，包括以下步骤：步骤1，以单晶硅材料作为衬底材料；步骤2，在衬底基层的上表面通过化学气相沉积法形成氮化铟缓冲层；步骤3，使用化学气相沉积法在缓冲层的表面生长一层锑化锗铟作为外延层；步骤4，开设沟槽；步骤5，设置肖特基势垒，设置金属层，即得到所需TMBS器件。本发明所使用的外延层为锑化锗铟，相比较于锑化铟，不仅表面缺陷更低，而且具备更好的耐击穿性，使得TMBS器件在‌电力电子、‌新能源汽车和‌光伏等领域具有广泛的应用前景。

本发明授权一种TMBS器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种TMBS器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，制备衬底：以单晶硅材料作为衬底材料，然后进行表面清洗处理，得到衬底基层；步骤2，制备中间缓冲层：在衬底基层的上表面通过化学气相沉积法形成氮化铟缓冲层；步骤3，制备外延层：以锑化锗铟作为外延层材质，使用化学气相沉积法在缓冲层的表面生长一层锑化锗铟作为外延层；步骤4，开设沟槽：在外延层的上表面利用刻蚀工艺刻蚀出多个阵列排列的U型沟槽，先在沟槽内表面生成氧化层，然后再填充多晶硅；步骤5，器件加工：在除沟槽外的外延层上表面设置肖特基势垒，并且在整个外延层的上表面设置第一金属层，在衬底基层的下表面设置第二金属层，即得到所需TMBS器件；所述步骤3中，外延层的生长过程包括：先将包覆有缓冲层的衬底基层置于沉积设备的反应室内，抽真空后，升温至350-450℃，通入氢气使反应室内压力保持在100-200mbar，然后按照比例通入气态的锑源、铟源和锗源，继续升温至500-600℃，并保持反应室内压力为300-500mbar，待外延层的生长厚度达到2-10μm后，关停反应气体的通入，随炉冷却后，即完成外延层的制备；所述步骤3中，锑源、铟源和锗源的质量比例为2.4-4.8:0.9-1.8:0.6-1.2。

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