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龙图腾网恭喜嘉兴阿特斯技术研究院有限公司申请的专利一种n型太阳能电池及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486337B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510026787.7，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种n型太阳能电池及其制备方法和应用是由姚铮;张强;张达奇;吴坚设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种n型太阳能电池及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于光伏制造技术领域，涉及一种n型太阳能电池及其制备方法和应用。所述制备方法包括：（1）对硅衬底的任意一侧表面进行第一背面本征层的沉积；（2）于硅衬底的另外一侧表面依次进行正面本征层和正面掺杂层的沉积；（3）于第一背面本征层的表面依次进行第二背面本征层的沉积和背面掺杂层的沉积；（4）分别于正面掺杂层和背面掺杂层的表面沉积透明导电氧化物层；（5）分别于正面的透明导电氧化物层表面和背面的透明氧化物层表面进行电极制备，得到n型太阳能电池。本发明的制备方法，确保了与背面掺杂层接触的最外侧背面本征层无损伤，从而了获得了低阻值且稳定的隧穿接触太阳能电池结构，其热衰减可靠性也得到了提升。

本发明授权一种n型太阳能电池及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种n型太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：（1）对硅衬底的任意一侧表面进行第一背面本征层的沉积，步骤（1）中，除对所述硅衬底任意一侧表面进行沉积的同时，还包括对硅衬底垂直于厚度方向的侧壁表面的沉积第一背面本征层，所述任意一侧表面为背光面；（2）将硅衬底进行翻面，于所述硅衬底的另外一侧表面依次进行正面本征层和正面掺杂层的沉积，步骤（2）中，除对所述硅衬底任意一侧表面进行沉积的同时，还包括对硅衬底垂直于厚度方向的侧壁表面的沉积正面本征层和正面掺杂层；（3）将硅衬底再次翻面，于所述第一背面本征层的表面依次进行第二背面本征层的沉积和背面掺杂层的沉积，所述第二背面本征层的厚度大于所述第一背面本征层的厚度，步骤（3）中，除对所述第一背面本征层的表面进行沉积的同时，还包括对硅衬底的垂直于厚度方向的侧壁表面的沉积第二背面本征层和背面掺杂层，所述背面掺杂层为背面p型掺杂层；（4）分别于所述正面掺杂层和所述背面掺杂层的表面沉积透明导电氧化物层；（5）分别于正面的透明导电氧化物层表面和背面的透明氧化物层表面进行电极制备，得到所述n型太阳能电池。

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