恭喜浙江创芯集成电路有限公司汪森林获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜浙江创芯集成电路有限公司申请的专利一种埋栅式非对称可重构场效应高频晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486216B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510059312.8，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权一种埋栅式非对称可重构场效应高频晶体管及其制备方法是由汪森林;陶然设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种埋栅式非对称可重构场效应高频晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种埋栅式非对称可重构场效应高频晶体管及其制备方法。本发明晶体管包括衬底、沟道层、第一栅极介质层、第二栅极介质层、控制栅极、极性栅极、保护层、源极电极区、漏极电极区；沟道层上方的一侧刻蚀有一凹槽，并在所述凹槽上方生长第一栅极介质层，另一端直接生长第二栅极介质层；控制栅极设在位于所述第一栅极介质层上方，且被所述沟道层包围；极性栅极设置在位于第二栅极介质层上方。本发明采用埋栅式结构，将控制栅极掩埋至沟道层内，减小控制栅极和极性栅极的重合部分，减小器件的寄生电容。同时增强控制栅极对沟道层的控制，沟道结构优化可增长沟道长度，降低晶体管开启的阈值电压，也省去“侧墙”和“边墙”部分，简化工艺。
本发明授权一种埋栅式非对称可重构场效应高频晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种埋栅式非对称可重构场效应高频晶体管，包括衬底1、沟道层2、第一栅极介质层3、第二栅极介质层4、控制栅极5、极性栅极6、保护层、源极电极区7、漏极电极区8；所述沟道层2位于所述衬底1上方；所述源极电极区7、漏极电极区8分别位于所述沟道层2的两端；其特征在于：所述沟道层2上方的一侧刻蚀有一凹槽，并在所述凹槽上方生长第一栅极介质层3，另一侧无凹槽，且第二栅极介质层4形成在无凹槽的沟道层2的上表面；所述控制栅极5设置在位于所述第一栅极介质层3上方，且被所述沟道层2包围；所述极性栅极6设置在位于所述第二栅极介质层4上方。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江创芯集成电路有限公司，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市萧山区经济技术开发区建设三路733号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号