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龙图腾网恭喜上海维安半导体有限公司申请的专利一种软启动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119519405B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510088993.0，技术领域涉及：H02M1/36；该发明授权一种软启动电路是由董振斌;陈凯华;刘根芳设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种软启动电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种软启动电路，涉及集成电路技术领域，包括通断控制电路和电压缓升电路，通断控制电路的通断控制端连接电压缓升电路的充电控制端，电压缓升电路的电压输出端连接外部的待启动器件；通断控制电路用于控制电压缓升电路的充电控制端间歇导通，以进行缓慢充电，对待启动器件提供缓慢升高的启动电压实现软启动。有益效果是电压缓升电路中恒流电源的电流不需要很小，可以保证在高温或存在其它较大干扰的条件下仍然保证正常工作。在高温或者干扰大场合，软启动电路都能正常工作，从而提高了整个电路可靠性，电路具有结构简单、占用版图面积小、可扩展性好、高可靠等特点，可广泛用于需要软启动电路的模拟集成电路中。

本发明授权一种软启动电路在权利要求书中公布了：1.一种软启动电路，其特征在于，包括通断控制电路和电压缓升电路，所述通断控制电路的通断控制端连接所述电压缓升电路的充电控制端，所述电压缓升电路的电压输出端连接外部的待启动器件；所述电压缓升电路包括：恒流电源，所述恒流电源的供电端分别连接第一PMOS管的源极和第二PMOS管的源极，所述通断控制电路的通断控制端包括第一控制端和第二控制端，所述第一PMOS管的栅极连接所述第一控制端，所述第二PMOS管的栅极连接所述第二控制端，所述第一控制端和所述第二控制端输出的信号反相；软启动电容，所述软启动电容的上极板连接所述第二PMOS管的漏极，所述软启动电容的下极板连接所述第一PMOS管的漏极以及第一NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的漏极和栅极短接；第二NMOS管，所述第二NMOS管的栅极连接所述软启动电容的上极板，所述第二NMOS管的漏极连接电压源，所述第二NMOS管的源极连接外部的待启动器件；所述通断控制电路用于控制所述电压缓升电路的充电控制端间歇导通，以进行缓慢充电，对所述待启动器件提供缓慢升高的启动电压实现软启动。

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