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龙图腾网恭喜粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119517844B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510088780.8，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由苗良爽;李国台;张志敏;夏泉龙;彭雄设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体加工技术领域，本申请的半导体器件的制备方法，包括提供晶圆，晶圆包括有效区域和边缘区域；在晶圆上依次形成第一介质层和第一金属布线层，第一金属布线层与晶片连接；在第一金属布线层上依次形成第二介质层和脱落层形成待布线结构，在形成脱落层时加热以释放第一金属布线层与第一介质层之间的应力碎裂形成颗粒，边缘区域的脱落层包裹颗粒形成剥离杂质；清洗待布线结构以清除剥离杂质；在待布线结构的上表面依次形成第三介质层和第二金属布线层，第二金属布线与第一金属布线层连接。本申请提供的半导体器件制备方法，能够减少半导体器件边缘区域的脱落，提高产品的可靠性。

本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆包括有效区域以及位于所述有效区域外周的边缘区域，所述有效区域内具有多个晶片；在所述晶圆上依次形成第一介质层和第一金属布线层，所述第一金属布线层穿透所述第一介质层与所述晶片连接；在所述第一金属布线层上依次形成第二介质层和脱落层形成待布线结构，在形成所述脱落层时加热以释放所述第一金属布线层与所述第一介质层之间的应力，碎裂第一金属布线层和第一介质层形成颗粒，所述边缘区域的脱落层包裹所述颗粒形成剥离杂质；清洗所述待布线结构以清除所述剥离杂质；在所述待布线结构的上表面依次形成第三介质层和第二金属布线层，所述第二金属布线层穿透所述第三介质层和所述第二介质层与所述第一金属布线层连接。

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