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龙图腾网恭喜清华大学申请的专利基于上转换纳米粒子的近红外光电探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119604090B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510113559.3，技术领域涉及：H10F77/40；该发明授权基于上转换纳米粒子的近红外光电探测器及制备方法是由孙皓;吴金华;甯存政;姚世鹏;侯彰钰设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于上转换纳米粒子的近红外光电探测器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光通信领域，提供一种基于上转换纳米粒子的近红外光电探测器及制备方法，近红外光电探测器包括：低掺P型硅衬底，其表面附着有氧化硅层；石墨烯，贴合于氧化硅层上；第一电极、第二电极和第三电极，第一电极、第二电极和第三电极按照预设沟道距离依次贴合于石墨烯上；上转换纳米粒子，旋涂于第一电极与第二电极之间预设沟道距离的石墨烯上，上转换纳米粒子中掺杂的稀土离子浓度大于或等于设定浓度。该探测器结构简单，能够有效提升上转换效率和吸收能力，在进行近红外光探测时产生高光电导增益，将上转换纳米粒子上转换发光转化为突出的光响应电流；此外，还具备波长选择性，利用不同波长下响应电流状态差异可以实现不同波长的区分。

本发明授权基于上转换纳米粒子的近红外光电探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于上转换纳米粒子的近红外光电探测器，其特征在于，包括：低掺P型硅衬底，其表面附着有氧化硅层；石墨烯，贴合于所述氧化硅层上；电极，包括第一电极、第二电极和第三电极，所述第一电极、第二电极和第三电极按照预设沟道距离依次贴合于所述石墨烯上；上转换纳米粒子，旋涂于所述第一电极与所述第二电极之间预设沟道距离的石墨烯上，所述上转换纳米粒子中掺杂的稀土离子浓度大于或等于设定浓度；所述近红外光电探测器包括第一半导体和第二半导体；所述第一半导体包括在所述第一电极与所述第二电极之间设置的低掺P型硅衬底、氧化硅层、石墨烯和上转换纳米粒子，所述第二半导体包括在所述第三电极与所述第二电极之间设置的低掺P型硅衬底、氧化硅层和石墨烯；当不同波长的近红外光照射所述近红外光电探测器时，所述第一半导体响应第一波长的光信号，产生第一电流；所述第二半导体响应第二波长的光信号，产生第二电流；所述第二波长短于所述第一波长。

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