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龙图腾网恭喜浙江大学申请的专利用于芯片多物理场仿真的高阶多尺度有限元方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119623208B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510152166.3，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权用于芯片多物理场仿真的高阶多尺度有限元方法及系统是由李明;陈威;林海设计研发完成，并于2025-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于芯片多物理场仿真的高阶多尺度有限元方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于芯片多物理场仿真的高阶多尺度有限元方法及系统。该方法将所设计的芯片模型嵌入在规则的粗背景网格中，嵌入式仿真会带来切割单元造成数值不稳定的问题。为此，本发明基于边界插值函数对粗单元的病态粗节点进行判断；进一步，本发明通过移除病态边界插值函数构建缩减粗单元，保证了良好的条件数。从而在粗背景网格上构建了能够反映内部材料分布的数值形函数用于后续仿真。在保持求解精度的前提下降低了计算成本，提高了嵌入式仿真的数值稳定性，在超大规模边界复杂结构仿真中具有巨大的潜力。适用于静力学、动力学、热场等多个仿真领域，在静力学和热场仿真验证了其数值稳定性、仿真精度和计算效率优势。

本发明授权用于芯片多物理场仿真的高阶多尺度有限元方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种用于芯片多物理场仿真的高阶多尺度有限元方法，其特征在于，包括：将所设计的芯片模型嵌入在规则的粗背景网格中，基于边界插值函数对粗单元的病态粗节点进行判断；在粗单元表面移除病态边界插值函数，构建缩减粗单元，在粗网格边界上的细节点采样得到粗节点-边界温度变换矩阵；通过求解粗单元内的芯片温度场子结构问题，建立边界细节点到内部细节点的温度映射关系，得到边界-内部温度变换矩阵；基于粗节点-边界温度变换矩阵及边界-内部温度变换矩阵得到粗节点-细节点温度变换矩阵，对每个粗单元构建数值稳定的反映内部材料分布的数值形函数，用于对所述芯片模型进行嵌入式仿真；其中：判断粗单元中一个粗节点是否为病态节点的方法如下：如果粗节点对应的边界插值矩阵的最大值小于给定阈值，即 ，其中为给定阈值，那么对于粗单元是病态粗节点；所述构建缩减粗单元的方法如下：对粗单元的每个边界面，将粗节点分类为位于边上的角点和位于面内的非角点，其下标集合分别记为和，保留所有角点，以及剔除病态非角点后所有良态的非角点，其下标集合记为。

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