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龙图腾网恭喜杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种提高双沟槽MOSFET元胞密度的工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653808B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510170576.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种提高双沟槽MOSFET元胞密度的工艺是由许一力;李鑫;刘倩倩设计研发完成，并于2025-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高双沟槽MOSFET元胞密度的工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种提高双沟槽MOSFET元胞密度的工艺，包括：在半导体外延层内部注入不同浓度的磷元素形成N衬底层和漂移层；在漂移层的上层继续离子注入硼元素形成P体区；在P体区的中心处离子注入形成N阱层，并在上层P体区进行离子注入形成P阱层和P‑阱层；蚀刻工艺对半导体外延层的表面进行蚀刻形成矩形槽；将金属铝沉积至矩形槽的两侧，以此形成L型源极。在制备过程中将L型源极采用向内凹陷的设计来与N阱层接触，所制备的MOSFET器件即使采用更小尺寸时也不易发生因热量的堆积而降低MOSFET器件的功耗，这种采用源极内陷的工艺设计能够极大提高MOSFET器件的元胞密度。

本发明授权一种提高双沟槽MOSFET元胞密度的工艺在权利要求书中公布了：1.一种提高双沟槽MOSFET元胞密度的工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、在半导体外延层内部通过注入不同浓度的磷元素以形成N衬底层（2）和漂移层（3）；S2、在漂移层（3）的上层继续通过离子注入硼元素形成P体区；S3、在P体区的中心处通过离子注入形成N阱层（9），并继续在上层P体区进行离子注入以形成P阱层（8）和P-阱层（10）；S4、通过蚀刻工艺对半导体外延层的表面进行蚀刻以形成矩形槽；S5、将金属铝沉积至矩形槽两侧内壁以及P阱层（8）的上表面，以此来形成L型源极（4），其中矩形槽内壁处为L型源极（4）的纵向部分，P阱层（8）上表面处为L型源极（4）的横向部分；S6、在沟槽内填充二氧化硅绝缘材料，并对填充的二氧化硅绝缘材料进行蚀刻以形成栅氧化层（6）；S7、对二氧化硅绝缘材料中蚀刻的槽内沉积多晶硅材料以形成栅极（7），并在栅极（7）裸露的表面沉积二氧化硅绝缘材料；S8、在源极区域和漏极区域沉积金属以形成金属源极覆盖片（5）和漏极（1）；S9、对MOSFET结构进行电气性能测试，在测试合格后对MOSFET结构进行封装。

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