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龙图腾网恭喜四川民承电子有限公司申请的专利一种功率MOSFET器件的热阻仿真模型构建方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119720689B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510213423.X，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种功率MOSFET器件的热阻仿真模型构建方法是由任万春;汪贵芳;陈丹;蔡少峰;李春;杨红伟;许学友;吕万春;冯宝龄;宋韦辰;刘宝健设计研发完成，并于2025-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率MOSFET器件的热阻仿真模型构建方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率MOSFET器件的热阻仿真模型构建方法，根据功率器件的封装结构绘制对应的三维模型，并在热仿真分析平台上导入三维模型仿真分析功率器件内部的热分布，利用多层等价简化方法，将功率器件内部的芯片结构等价简化为五层薄膜，并设置各层的等价特征参数，构建作为功率器件发热源的芯片有限元仿真模型；搭建热阻测试环境，在设定温度环境中仿真获知每层薄膜的温度，获得芯片有限元仿真模型的温度变化模型；根据温度变化模型以及功率器件内部的热分布，得到功率器件的热阻仿真模型。采用有限元仿真方法，系统考虑功率器件内部结构、封装工艺参数等影响因素，利用多层等价简化方法，构建准确反映器件内部热特征的热阻仿真模型。

本发明授权一种功率MOSFET器件的热阻仿真模型构建方法在权利要求书中公布了：1.一种功率MOSFET器件的热阻仿真模型构建方法，其特征在于，具体包括以下步骤：S1、根据功率MOSFET器件的封装结构绘制对应的三维模型，在ANSYSIcepak热仿真分析平台上导入所述三维模型；S2、根据所述三维模型，仿真分析功率MOSFET器件内部的热分布，利用多层等价简化方法，将功率MOSFET器件内部的芯片结构等价简化为五层薄膜，并设置各层的等价特征参数，构建作为功率MOSFET器件发热源的芯片有限元仿真模型；五层薄膜包括：外延掺杂形成的PN结器件等效层、介质层间金属的互联保护层、硅衬底层、栅源顶层金属层和漏底金属层；步骤S2中构建芯片有限元仿真模型的具体过程为：S21、将功率MOSFET器件内部的芯片结构按照实际功能层结构等价简化为不同的五层薄膜；S22、根据芯片结构的制备工艺流程，设置各层薄膜的物理尺寸；S23、设置各层薄膜的等价特征参数，等价特征参数包括各层薄膜的材料参数以及PN结器件等效层各区的掺杂类型和掺杂浓度，得到芯片有限元仿真模型；S3、搭建热阻测试环境，对芯片有限元仿真模型施加热功耗，并在设定温度环境中仿真获知每层薄膜的温度，获得芯片有限元仿真模型的温度变化模型；S4、根据温度变化模型以及功率MOSFET器件内部的热分布，得到功率MOSFET器件的热阻仿真模型。

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