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龙图腾网恭喜成都中宇微芯科技有限公司申请的专利一种可调毫米波缝隙天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119726137B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510221161.1，技术领域涉及：H01Q13/18；该发明授权一种可调毫米波缝隙天线是由胡候平;熊永忠设计研发完成，并于2025-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可调毫米波缝隙天线在说明书摘要公布了：本申请公开了一种可调毫米波缝隙天线，包括：依次堆叠的辐射单元层、馈电调谐层和馈电波导口，辐射单元层包括第一上表面金属层，蚀刻第一辐射缝隙；第一介质基板；第一下表面金属层，蚀刻第一馈电缝隙和第一调谐缝隙；第一金属过孔包围各第一缝隙；馈电调谐层包括第二上表面金属层，蚀刻第二馈电缝隙和第二调谐缝隙；第二介质基板；第二下表面金属层，第二下表面金属层蚀刻馈电波导耦合缝隙；第二金属过孔的第一部包围第二馈电缝隙和馈电波导耦合缝隙，第二部包围第二调谐缝隙。本发明可以在一定程度上抑制色散特性，提升带宽，并且频率可以人工手动调节。

本发明授权一种可调毫米波缝隙天线在权利要求书中公布了：1.一种可调毫米波缝隙天线，其特征在于，包括：依次堆叠设置的辐射单元层、馈电调谐层和馈电波导口，所述辐射单元层包括依次排列的第一上表面金属层，所述第一上表面金属层表面蚀刻若干第一辐射缝隙；第一介质基板；第一下表面金属层，所述第一下表面金属层表面蚀刻各自对称排列的两条第一馈电缝隙和两条第一调谐缝隙；第一金属过孔穿设所述辐射单元层，并包围所述第一辐射缝隙、第一馈电缝隙和第一调谐缝隙；所述馈电调谐层包括依次排列的第二上表面金属层，所述第二上表面金属层表面蚀刻两条第二馈电缝隙和两条第二调谐缝隙，并与所述第一馈电缝隙和第一调谐缝隙形状、位置对应；第二介质基板；第二下表面金属层，所述第二下表面金属层表面蚀刻馈电波导耦合缝隙；第二金属过孔穿设所述馈电调谐层，所述第二金属过孔包括第一部和第二部，所述第一部包围所述第二馈电缝隙和馈电波导耦合缝隙，所述第二部包围所述第二调谐缝隙；所述馈电波导口为一个中空的金属波导结构；其中，所述馈电波导口的电磁波能量经过所述馈电调谐层中的馈电波导耦合缝隙，被分成两份相同幅度相位的能量，分别到达两条所述第二馈电缝隙，并来到所述辐射单元层中，在两条第一馈电缝隙同时馈电。

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