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龙图腾网恭喜蓝河科技(绍兴)有限公司申请的专利气相生长设备的预处理方法及三五族化合物薄膜制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119710645B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510221098.1，技术领域涉及：C23C16/458；该发明授权气相生长设备的预处理方法及三五族化合物薄膜制备方法是由童中华;卞祖健;魏晓骏;郑翔;林桂荣;徐春阳;邢志刚;黄小辉;张伟设计研发完成，并于2025-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本气相生长设备的预处理方法及三五族化合物薄膜制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种气相生长设备的预处理方法及三五族化合物薄膜制备方法。气相生长设备的预处理方法包括控制可控温顶板的顶板温度为130~170℃、旋转基座的基座温度为600~720℃、反应腔室内的腔室压力为35~100mbar、旋转基座的旋转速率为6~15rpm，并向反应腔室内提供铝源和包括镓源、砷源、铟源和磷源中的至少两种的预反应气体源，能够在气相生长设备的反应腔室的内壁以及所述旋转基座的露出表面形成预设厚度含铝的三五族化合物薄膜，含铝的三五族化合物薄膜对氧具有较强的吸附能力，能够固定反应腔室内存在的不易吹扫去除的颗粒物，为后续在该三五族化合物薄膜提供了良好的工艺环境。

本发明授权气相生长设备的预处理方法及三五族化合物薄膜制备方法在权利要求书中公布了：1.一种气相生长设备的预处理方法，其特征在于，包括以下步骤：S0：提供气相生长设备，所述气相生长设备包括反应腔室、设于所述反应腔室顶部的可控温顶板、设于所述反应腔室内且可控温的旋转基座以及设于所述可控温顶板并与所述旋转基座相对设置的气体注入装置，所述旋转基座的顶面包括载片区域，所述载片区域放置有陪片，所述旋转基座的直径与所述反应腔室中反应空间的高度比值为12:1~40:1；S1：控制所述可控温顶板的顶板温度为130~170℃、所述旋转基座的基座温度为600~720℃、所述反应腔室内的腔室压力为35~100mbar、所述旋转基座的旋转速率为6~15rpm；S2：通过所述气体注入装置向所述反应腔室内提供铝源和预反应气体源进行薄膜生长反应，直至所述反应腔室内壁和所述旋转基座顶部的露出表面形成预设厚度的含铝三五族化合物薄膜；所述预反应气体源包括镓源、砷源、铟源和磷源中的至少两种；步骤S2中，所述含铝三五族化合物薄膜的预设厚度为2~8μm。

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