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龙图腾网恭喜金阳(泉州)新能源科技有限公司申请的专利设置反向漏电通道的联合钝化背接触电池制备方法及模组获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730468B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510228479.2，技术领域涉及：H10F71/10；该发明授权设置反向漏电通道的联合钝化背接触电池制备方法及模组是由林楷睿;许志设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本设置反向漏电通道的联合钝化背接触电池制备方法及模组在说明书摘要公布了：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种设置反向漏电通道的联合钝化背接触电池制备方法及模组，包括：S5、对去除掩膜层后的背面进行表面微蚀刻，控制蚀刻深度为0.5‑100Å；S6、在背面沉积第二半导体层；S7、形成第二开口区；S8、沉积透明导电膜层；S9、形成隔离槽，且隔离槽的至少部分边缘距离制绒面边缘有距离，在该距离内对应的第二掺杂硅晶层、本征非晶硅层以及经表面微蚀刻的第一掺杂多晶硅层形成反向漏电通道PN结。本发明能够形成分布均匀、稳定可控的有效反向漏电通道，能够避免电流集中导致区域发热，从而保护电池片免受热斑损坏，同时获得较高的电池效率；可取消旁路二极管使用，减少成本，增加发电量。

本发明授权设置反向漏电通道的联合钝化背接触电池制备方法及模组在权利要求书中公布了：1.一种设置反向漏电通道的联合钝化背接触电池制备方法，包括：S1、提供硅片；S2、在硅片背面依次形成第一半导体层和掩膜层，第一半导体层包含依次设置的隧穿氧化层和第一掺杂多晶硅层；S3、在S2所得背面进行第一次刻蚀开口，形成第一开口区；S4、通过制绒清洗，至少在第一开口区形成制绒面，并去除掩膜层；其特征在于，还包括如下步骤：S5、对去除掩膜层后的背面进行表面微蚀刻，控制蚀刻深度为0.5-100Å；S6、在背面沉积第二半导体层，第二半导体层包含依次设置的本征非晶硅层和第二掺杂硅晶层；S7、在硅片背面的部分第二半导体层上进行第二次刻蚀开口，形成与第一开口区间隔排列的第二开口区；S8、在S7所得背面沉积透明导电膜层；并控制透明导电膜层方阻为40Ω□-200Ω□，第一掺杂多晶硅层的方阻为30Ω□-300Ω□；S9、在位于第一开口区与第二开口区之间的交叠区域对应部分透明导电膜层上根据预设图形进行第三次刻蚀开口，形成隔离槽，且隔离槽的至少部分边缘距离制绒面边缘有距离，在该距离内对应的第二掺杂硅晶层、本征非晶硅层以及经表面微蚀刻的第一掺杂多晶硅层形成反向漏电通道PN结，反向漏电通道PN结均匀分布在背面；S10、在第一开口区与第二开口区所在区域的对应透明导电膜层外表面分别形成金属电极。

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