恭喜朗姆研究公司杰里米·D·菲尔兹获国家专利权
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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利使用有机硅前体修饰晶片表面的疏水性获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111954922B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980025168.9，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权使用有机硅前体修饰晶片表面的疏水性是由杰里米·D·菲尔兹;阿维尼什·古普塔;道格拉斯·W·阿格纽;约瑟夫·R·阿贝尔;普鲁肖塔姆·库马尔设计研发完成，并于2019-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用有机硅前体修饰晶片表面的疏水性在说明书摘要公布了：本文提供了使用有机硅前体来使晶片表面改性的方法和设备。在通过原子层沉积ALD工艺沉积介电材料之后，向晶片表面投配有机硅前体。在一些实现方案中，介电层由氧化硅制成。向晶片表面投配有机硅前体可在与ALD工艺相同的室内进行。有机硅前体可以使晶片表面改性以增加其疏水性，从而改善晶片表面上的光致抗蚀剂粘附性。在一些实现方案中，在向晶片表面投配有机硅前体之后，可以将晶片表面暴露于惰性气体RF等离子体。
本发明授权使用有机硅前体修饰晶片表面的疏水性在权利要求书中公布了：1.一种用于增加晶片表面疏水性的方法，所述方法包括：通过原子层沉积在晶片上沉积含硅层；将一定剂量的气相有机硅前体引入到晶片表面上以增加所述晶片表面的疏水性；以及在引入所述一定剂量的所述有机硅前体之后，将所述晶片暴露于RF等离子体，其中所述RF等离子体包含惰性气体等离子体，其中与所述惰性气体等离子体相关的条件调节所述晶片表面的所述疏水性。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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