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龙图腾网恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利基于硅纳米线阵列的微富集器芯片及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110203877B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910545104.3，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权基于硅纳米线阵列的微富集器芯片及制备方法是由冯飞;赵斌设计研发完成，并于2019-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于硅纳米线阵列的微富集器芯片及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供基于硅纳米线阵列的微富集器芯片及制备方法，制备包括：提供衬底，制备凹槽结构；制备若干个微柱结构，相邻所述微柱结构基于所述开口嵌套设置；制备微流控端口，与所述凹槽结构相连通；及提供一盖板，并将所述盖板制备于所述衬底形成有所述凹槽结构的一侧，且所述盖板至少覆盖所述凹槽结构。本发明通过在凹槽结构形成的腔体内设计嵌套设置的微柱结构阵列，可以获得大的表面积，并使得流场均匀分布，且延长气体流路路径，进而提高吸附材料的均匀性，提高吸附气体的富集率，另外，通过在腔体内表面构筑一层高比面积的硅纳米线阵列，可极大地增加腔体内的内表面积，提高吸附材料的承载量，提高基于硅纳米线阵列的微富集器芯片的富集率。

本发明授权基于硅纳米线阵列的微富集器芯片及制备方法在权利要求书中公布了：1.基于硅纳米线阵列的微富集器芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：提供一衬底，并所述衬底中制备凹槽结构；所述凹槽结构的形状包括椭圆形，及，中间呈方形且两端呈弧形的结构中的任意一种；于所述衬底中制备若干个微柱结构，所述微柱结构位于所述凹槽结构中，所述微柱结构包括依次连接的第一延伸部、连接部以及第二延伸部，所述第一延伸部、所述连接部及所述第二延伸部围成一具有开口的空间区域，相邻所述微柱结构基于所述开口嵌套设置；所述微柱结构之间具有间隙；所述微柱结构的形状包括U型；所述第一延伸部及所述第二延伸部构成U型的所述微柱结构的两侧部，所述连接部构成U型的所述微柱结构的底部；于所述衬底中制备至少两个微流控端口，所述微流控端口与所述凹槽结构相连通；及提供一盖板，并将所述盖板制备于所述衬底形成有所述凹槽结构的一侧，且所述盖板至少覆盖所述凹槽结构；于所述盖板远离所述衬底的一侧以及所述衬底远离所述盖板的一侧中的至少一者上制备加热电阻及测温电阻；至少于所述微柱结构的表面制备硅纳米线阵列；至少于所述硅纳米线阵列表面制备吸附材料层。

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