恭喜台湾积体电路制造股份有限公司张光庆获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路元件设计的制备方法与系统以及半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110931481B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910818260.2，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权集成电路元件设计的制备方法与系统以及半导体装置是由张光庆;江庭玮;庄惠中;杨荣展设计研发完成，并于2019-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路元件设计的制备方法与系统以及半导体装置在说明书摘要公布了：本揭露提供一种集成电路元件设计的制备方法，此方法包括以下步骤：分析初步元件布局以识别第一单元与第二单元之间的垂直邻接、第一单元与第二单元内的内部金属切口的位置、及内部金属切口之间的间隔；通过N个接触多晶硅间隙相对于第一单元定位第二单元以定义一或多个中间元件布局以定义具有改善的内部金属切割间隔的更改的元件布局，以抑制密度梯度效应及着陆效应。
本发明授权集成电路元件设计的制备方法与系统以及半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种集成电路元件设计的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在一元件布局中识别一第一单元与一第二单元之间的一垂直邻接；在该第一单元中识别一第一内部金属切口；在该第二单元中识别一第二内部金属切口；在该元件布局中决定该第一内部金属切口与该第二内部金属切口之间的一水平间隔；决定该水平间隔是否满足一间隔阈值；以及若不满足该间隔阈值，则将该第二单元相对于该第一单元水平移位一距离以定义一更改的元件布局，该距离等于N个接触多晶硅间距，其中N为一整数；重复该决定及移位操作直到该更改的元件布局满足该间隔阈值为止。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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