恭喜台湾积体电路制造股份有限公司林资敬获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110970302B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910894295.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体装置的形成方法是由林资敬;林建智;朱峯庆;舒丽丽;李启弘设计研发完成，并于2019-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体装置的形成方法包括形成鳍片突出于基板之上，形成栅极结构于鳍片之上，形成凹槽于邻近栅极结构的鳍片中；以及形成源极漏极区域于凹槽中，源极漏极区域包括第一膜层、第二膜层、及第三膜层。形成源极漏极区域包括：在第一工艺条件下进行第一外延工艺以在凹槽中形成第一膜层，第一膜层沿着凹槽所露出的鳍片的表面延伸，在第二工艺条件下进行第二外延工艺以在第一膜层上形成第二膜层；以及在第三工艺条件下进行第三外延工艺以在第二膜层上形成第三膜层，第三膜层填充凹槽。第一工艺条件、第二工艺条件、及第三工艺条件不同。
本发明授权半导体装置的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的形成方法，包括：形成一鳍片突出于一基板之上；形成一栅极结构于该鳍片之上；形成一凹槽于邻近该栅极结构的该鳍片中；以及形成一源极漏极区域于该凹槽中，该源极漏极区域包括一第一膜层、一第二膜层、及一第三膜层，其中形成该源极漏极区域包括：在第一工艺条件下进行一第一外延工艺以在该凹槽中形成该第一膜层，该第一膜层沿着该凹槽所露出的该鳍片的表面延伸；在第二工艺条件下进行一第二外延工艺以在该第一膜层上形成该第二膜层；以及在第三工艺条件下进行一第三外延工艺以在该第二膜层上形成该第三膜层，该第三膜层填充该凹槽，其中该些第一工艺条件、该些第二工艺条件、及该些第三工艺条件不同，其中使用相同工艺气体但不同混合比例的所述工艺气体进行该第一外延工艺、该第二外延工艺、及该第三外延工艺，其中所述工艺气体包括一含硅气体、一掺质气体及一蚀刻气体。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号