恭喜福建省晋华集成电路有限公司童宇诚获国家专利权
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龙图腾网恭喜福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111640779B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910936696.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体结构是由童宇诚;赖惠先;林昭维;朱家仪设计研发完成，并于2019-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构。半导体结构中具有位于相邻接触垫之间的凹槽，并且填充在凹槽中的绝缘填充层是由至少两个绝缘部构成的，从而能够更为有效的缓解凹槽中的绝缘材料的内应力，有利于改善由于凹槽中的绝缘材料的高强度内应力而对其邻近的半导体器件造成损伤的问题。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中形成有至少一半导体器件和层间介质层，所述层间介质层覆盖所述半导体器件；至少两个互连结构，所述互连结构包括接触插塞和接触垫，所述接触插塞贯穿所述层间介质层并延伸至所述半导体器件，所述接触垫覆盖所述接触插塞的顶部并延伸覆盖部分所述层间介质层的顶表面；以及，位于相邻接触垫之间的凹槽，所述凹槽还向下延伸停止于所述层间介质层中；以及，绝缘填充层，填充在所述凹槽中，并且所述绝缘填充层包括至少两个绝缘部；其中，所述半导体器件包括形成在衬底顶表面上的栅极导电层以及形成在衬底中的第一源漏区和第二源漏区，所述第一源漏区和所述第二源漏区分别位于所述栅极导电层的两侧，所述层间介质层包括覆盖所述栅极导电层顶表面的遮蔽层以及覆盖所述栅极导电层侧壁和所述遮蔽层侧壁的侧墙结构，所述凹槽在高度方向上从相邻的接触垫之间向下延伸至所述遮蔽层中，所述凹槽在宽度方向上从所述遮蔽层横向扩展至所述侧墙结构中。
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