恭喜长鑫存储技术有限公司刘志拯获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利存储器、存储器的衬垫结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112885805B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911205239.1，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权存储器、存储器的衬垫结构及其制备方法是由刘志拯设计研发完成，并于2019-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器、存储器的衬垫结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种存储器、存储器的衬垫结构及存储器的衬垫结构的制备方法。该存储器的衬垫结构包括绝缘支撑层、导电层以及金属层。该绝缘支撑层包括第一区域以及围绕第一区域的环形沟槽。该第一区域内包括多个第一沟槽和多个第二沟槽。多个第一沟槽均与环形沟槽相通。任一第二沟槽与环形沟槽以及任一第一沟槽均不相通。该导电层填充于环形沟槽和各第一沟槽内。该金属层填充于各第二沟槽内。本公开能够提高存储器的寿命。
本发明授权存储器、存储器的衬垫结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器的衬垫结构，其特征在于，包括：绝缘支撑层，包括第一区域以及围绕所述第一区域的环形沟槽，所述第一区域内包括多个第一沟槽和多个第二沟槽，多个所述第一沟槽均与所述环形沟槽相通，任一所述第二沟槽与所述环形沟槽以及任一所述第一沟槽均不相通；导电层，填充于所述环形沟槽和各所述第一沟槽内，所述导电层中有多个纵向连接通道；金属层，填充于各所述第二沟槽内。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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