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龙图腾网恭喜华东理工大学申请的专利一种复合电极材料及制备方法、超级电容器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110993368B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911320002.8，技术领域涉及：H01G11/30；该发明授权一种复合电极材料及制备方法、超级电容器是由程起林;沈成;刘艺军;刘露;何颖设计研发完成，并于2019-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种复合电极材料及制备方法、超级电容器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种复合电极材料及制备方法、超级电容器。该复合电极材料的制备方法包括：1将CuOH2纳米线铜基底浸泡在前驱体液中，得HKUST‑1铜基底；前驱体液中的有机配体为均苯三甲酸；浸泡时间为8～12min；2HKUST‑1铜基底经退火，得CuO‑Cu2O@C铜基底；退火温度为400～500℃；3以CuO‑Cu2O@C铜基底为工作电极，通过电沉积即得；电沉积的电解液包括氯化镍和硫脲。本发明的复合电极材料弥补了硫化镍导电性差、碳材料比电容低的缺陷，降低了电极材料阻抗、提升了复合电极材料的倍率性能，也增强了复合电极材料的电化学稳定性和能量密度。

本发明授权一种复合电极材料及制备方法、超级电容器在权利要求书中公布了：1.一种复合电极材料的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：（1）将Cu（OH）2纳米线铜基底浸泡在前驱体液中，得HKUST-1铜基底；所述前驱体液中的有机配体为均苯三甲酸；所述浸泡的时间为8~12min；所述前驱体液还包括如下组分：聚乙烯吡咯烷酮和溶剂；所述Cu（OH）2纳米线铜基底的制备方法包括下述步骤：将所述的铜基底浸入含有氢氧化钠和过硫酸铵的混合液中反应后，取出干燥即可；（2）所述HKUST-1铜基底经退火，得“CuO-Cu2O@C”铜基底；所述退火的温度为400~500℃；（3）以所述的“CuO-Cu2O@C”铜基底为工作电极，通过电沉积即得“CuO-Cu2O@C@Ni3S2”铜基底纳米复合电极材料；所述电沉积中的电解液包括氯化镍和硫脲；所述电沉积为循环伏安电沉积；所述电沉积的电压区间为-1.2~0.2V；所述电沉积的扫描速率为5~10mVs；所述电沉积的沉积圈数为2~4圈。

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