恭喜台湾积体电路制造股份有限公司李家庆获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112510090B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911327769.3，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权集成电路器件及其形成方法是由李家庆;吴仲强;邱诗航;童宣瑜;李达元设计研发完成，并于2019-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及集成电路器件及其形成方法。一种方法，包括：分别在第一器件区域和第二器件区域中沉积第一功函数层和第二功函数层，并且分别在第一器件区域和第二器件区域中沉积第一氟阻挡层和第二氟阻挡层。第一氟阻挡层位于第一功函数层上方，并且第二氟阻挡层位于第二功函数层上方。该方法还包括：去除第二氟阻挡层，以及在第一氟阻挡层上方形成第一金属填充层，并且在第二功函数层上方形成第二金属填充层。
本发明授权集成电路器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成集成电路器件的方法，包括：去除虚设栅极堆叠以在第一栅极间隔件之间形成第一凹槽并且在第二栅极间隔件之间形成第二凹槽，其中，所述第一栅极间隔件和所述第二栅极间隔件分别位于短沟道器件区域和长沟道器件区域中；形成延伸到所述第一凹槽中的第一功函数层以及延伸到所述第二凹槽中的第二功函数层；在所述第一功函数层上方形成第一氟阻挡层，其中，所述第一氟阻挡层是由氟阻挡材料形成的；在所述第一氟阻挡层上方形成第一含氟金属层，其中，所述第一含氟金属层是由含氟材料形成的；以及在所述第二功函数层上方形成第二含氟金属层，其中，在所述第二含氟金属层和所述第二功函数层之间没有所述氟阻挡材料、或者具有第二氟阻挡层，其中，所述第二氟阻挡层的厚度小于所述第一氟阻挡层的厚度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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