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龙图腾网恭喜株式会社纳诺艾思申请的专利双面发光LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113228308B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980087439.3，技术领域涉及：H10H20/00；该发明授权双面发光LED芯片是由朴斗镇;张弼国设计研发完成，并于2019-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本双面发光LED芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种双面发光LED芯片，其为向P‑N结的上侧和下侧分别进行发光的双面发光LED芯片，且为利用包括P层和设置在上述P层下方的N层的P‑N结的电致发光效应的LED芯片，上述双面发光LED芯片的特征在于，向上述P层的上侧方向和上述N层的下侧方向分别进行发光。根据本发明，可以作为单一芯片适用于需要双面发光的领域，能够实现适用设备的小型化，提高功率效率，具有降低制造成本的效果。并且，根据本发明制造的双面发光LED芯片可以通过批量工艺制造，因此不需要单独的封装工序。并且，根据本发明的双面发光LED芯片通过减少LED产生的光的全内反射来具有提高光效率的效果。

本发明授权双面发光LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种双面发光LED芯片，其为利用包括P层P和设置在上述P层P下方的N层N的P-N结10的电致发光效应的LED芯片，上述双面发光LED芯片的特征在于，向上述P层P的上侧方向和上述N层N的下侧方向分别进行发光，在上述P层P的上表面设有P向连接部20，在上述N层N的下表面设有N向连接部30，上述P向连接部20向上述P层P提供电源连接，上述N向连接部30向上述N层N提供电源连接，上述P-N结10通过P向连接部20和N向连接部30得到保护而免受外部环境影响，上述P向连接部20包括设置在上述P层P的上表面上的P连接电极610，上述P层P通过上述P连接电极610从上侧方向连接至电源，上述N向连接部30包括设置在上述N层N的下表面上的N连接电极620，上述N层N通过上述N连接电极620从下侧方向连接至电源，包括P向绝缘部210和N向绝缘部220，上述P向绝缘部210以预定厚度的薄膜形成在上述P-N结10的外侧面和上述P层P的上表面边缘，上述N向绝缘部220以预定厚度的薄膜形成在上述P向绝缘部210的下表面和上述N层N的下表面边缘，上述P向连接部20包括：P向欧姆接触电极310，上述P向欧姆接触电极310设置在上述P层P与上述P连接电极610之间且形成上述P层P和上述P连接电极610之间的欧姆接触；以及P向支撑金属部510，上述P向支撑金属部510设置在上述P向绝缘部210、上述P向欧姆接触电极310和上述P连接电极610的外侧面，以保护上述P-N结10和所述P向连接部20的结构，上述N向连接部30包括N向欧姆接触电极320，上述N向欧姆接触电极320设置在上述N层N与上述N连接电极620之间且形成上述N层N和上述N连接电极620之间的欧姆接触。

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