恭喜盛合晶微半导体(江阴)有限公司尹佳山获国家专利权
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龙图腾网恭喜盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利提高底部金属与焊垫辨识度的方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113130381B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911414855.8，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权提高底部金属与焊垫辨识度的方法及半导体结构是由尹佳山;王荣荣;周祖源;吴政达设计研发完成，并于2019-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高底部金属与焊垫辨识度的方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种提高底部金属与焊垫辨识度的方法及半导体结构，所述方法包括：提供基底，形成具有第一窗口第一掩膜层、底部金属，去除第一掩膜层，形成修复金属层，形成具有第二窗口的第二掩膜层，形成焊垫，去除第二掩膜层及部分修复金属层，再在焊垫上形成金属线。本发明在去除第一掩膜层后在底部金属及其周围的基底上形成修复金属层，修复金属层具有比底部金属更高的表面平整度，从而可以提高后续形成的焊垫的表面的平整度，可以使得焊垫的表面与焊垫周围的底部金属的表面之间的粗糙度差异变大，使得二者更容易辨识区分，从而有利于在焊垫上准确有效的制备金属线，提高金属线制备的良率。
本发明授权提高底部金属与焊垫辨识度的方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种提高底部金属与焊垫辨识度的方法，其特征在于，所述方法包括：提供基底；于所述基底上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层包括定义底部金属位置的第一窗口；于所述第一窗口中形成所述底部金属；去除所述第一掩膜层；于所述底部金属及其周围的所述基底上形成修复金属层，所述修复金属层具有比所述底部金属更高的表面平整度；于所述修复金属层上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层包括定义焊垫的第二窗口，所述第二窗口对应位于所述底部金属上并显露所述修复金属层；于所述第二窗口中形成焊垫，所述焊垫的平面尺寸小于所述底部金属的平面尺寸；以及去除所述第二掩膜层及所述焊垫周围的所述修复金属层，并于所述焊垫上制备金属线。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人盛合晶微半导体(江阴)有限公司，其通讯地址为：214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号(经营场所江阴市东盛西路9号)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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