恭喜美光科技公司T·J·普拉姆获国家专利权
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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利可疑活动监测存储器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111831505B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010120855.3，技术领域涉及：G06F11/30；该发明授权可疑活动监测存储器系统是由T·J·普拉姆;S·D·万德格拉夫设计研发完成，并于2020-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本可疑活动监测存储器系统在说明书摘要公布了：本主题申请涉及一种可疑活动监测存储器系统。可以经由晶体管的有意退化来跟踪存储器装置操作超过工作参数的持续时间。由所述晶体管的所述有意退化产生的一或多个信号可以用来生成警报和或以其它方式用于存储器装置控制电路和或系统。
本发明授权可疑活动监测存储器系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其包括：第一记录电路，所述第一记录电路被配置成跟踪电路经历第一操作条件的第一持续时间，其中响应于所述电路在所述第一操作条件下的操作，由所述第一记录电路跟踪第一性能退化，从而允许向晶体管栅极施加应力电压，以及所述第一操作条件对应于与行锤击参数、存取参数、温度参数、电压负载参数、电流负载参数、应力参数或其任何组合相关联的输入；以及第一检测器电路，所述第一检测器电路被配置成至少部分地通过比较来自所述第一记录电路的输出与第一警报参考电压来生成第一警报。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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