恭喜珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司陈道坤获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司申请的专利一种碳化硅功率二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113437132B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010206337.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种碳化硅功率二极管及其制备方法是由陈道坤;史波;曾丹;马颖江设计研发完成，并于2020-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅功率二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种碳化硅功率二极管及其制备方法，该碳化硅功率二极管包括衬底、漂移层和第一欧姆金属层，漂移层形成于衬底一侧的表面，漂移层远离衬底的表面具有有源区，有源区包括间隔的多个第一P+注入区和间隔的多个第二P+注入区，各第一P+注入区的结深大于各第二P+注入区的结深，且漂移层上各第一P+注入区背离衬底的一侧均为豁口结构；第一欧姆金属层与第一P+注入区一一对应，各第一欧姆金属层位于对应的豁口结构中，并与对应的第一P+注入区欧姆接触。该碳化硅功率二极管及其制备方法能够提高碳化硅结势垒肖特基二极管的抗浪涌电流能力。
本发明授权一种碳化硅功率二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅功率二极管，其特征在于，包括：衬底；形成于所述衬底一侧表面的漂移层，所述漂移层远离所述衬底的表面具有有源区，所述有源区包括间隔的多个第一P+注入区和间隔的多个第二P+注入区，各所述第一P+注入区的结深大于各所述第二P+注入区的结深，且所述漂移层上各所述第一P+注入区背离所述衬底的一侧均为豁口结构；与所述第一P+注入区一一对应的第一欧姆金属层，各所述第一欧姆金属层位于对应的所述豁口结构中，并与对应的所述第一P+注入区欧姆接触；所述第二P+注入区没有豁口结构，且所述第二P+注入区直接与阳极金属层接触；所述漂移层远离所述衬底的表面具有场限环终端区，所述场限环终端区的表面低于所述有源区的表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司，其通讯地址为：519015 广东省珠海市香洲区吉大景山路莲山巷8号1001室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号