恭喜半导体组件工业公司藤森龄龟获国家专利权
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龙图腾网恭喜半导体组件工业公司申请的专利用于沟槽器件的栅极多晶硅馈送结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111834459B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010289834.4，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权用于沟槽器件的栅极多晶硅馈送结构是由藤森龄龟设计研发完成，并于2020-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于沟槽器件的栅极多晶硅馈送结构在说明书摘要公布了：本发明涉及用于沟槽器件的栅极多晶硅馈送结构。在一般方面，一种装置可包括设置在衬底的半导体区内的沟槽。该沟槽可衬有栅极电介质，并且包括设置在沟槽内的电极。该装置可包括设置在沟槽上方的多晶硅层。该沟槽可具有设置在多晶硅层中的开口下方的末端部分。该沟槽的末端部分可设置在开口的第一侧和开口的第二侧之间。
本发明授权用于沟槽器件的栅极多晶硅馈送结构在权利要求书中公布了：1.一种晶体管装置，包括：沟槽，所述沟槽设置在衬底的半导体区内，所述沟槽衬有栅极电介质并且包括设置在所述沟槽内的电极；和多晶硅层，所述多晶硅层设置在所述沟槽上方，所述沟槽具有设置在所述多晶硅层中的开口下方的末端部分，所述沟槽的所述末端部分设置在所述开口的第一侧和所述开口的第二侧之间。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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