恭喜上海思立微电子科技有限公司梁骥获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海思立微电子科技有限公司申请的专利超声波飞行传感器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113644191B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010340857.3，技术领域涉及：H10N30/30；该发明授权超声波飞行传感器及其制作方法是由梁骥;黄景泽;效烨辉;程泰毅设计研发完成，并于2020-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本超声波飞行传感器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种超声波飞行传感器及其制作方法，包括半导体衬底、设置于所述半导体衬底表面并开设有内洞的支撑层、覆盖所述内洞而设置于所述支撑层表面的弹性膜以及设置于所述内洞内并附着于所述弹性膜朝向内洞的表面的激励层，所述激励层呈图案化设计，包括第一电极层、第二电极层以及设置于所述第一电极层和所述第二电极层之间的压电层。本发明采用半导体工艺制作超声波飞行传感器，实现超声波飞行传感器的微型化及易于集成化，帮助应用该超声波传感器的电子设备的体积实现微型化和轻薄化。
本发明授权超声波飞行传感器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种超声波飞行传感器，其特征在于，利用半导体工艺制作且所述超声波飞行传感器包括：半导体衬底；支撑层，设置于所述半导体衬底表面，并开设有内洞；弹性膜，覆盖所述内洞而设置于所述支撑层表面；激励层，设置于所述内洞内并附着于所述弹性膜朝向内洞的表面；其中，所述激励层呈图案化设计，所述激励层的主体部分设置在所述内洞内且围绕所述内洞的中央区域设置，所述激励层包括：第一电极层、第二电极层以及设置于所述第一电极层和所述第二电极层之间的压电层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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