恭喜三星电子株式会社;首尔大学校产学协力团黄京旭获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网恭喜三星电子株式会社;首尔大学校产学协力团申请的专利发光二极管器件、制造其的方法和包括其的显示装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112864288B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010434777.4,技术领域涉及:H10H20/81;该发明授权发光二极管器件、制造其的方法和包括其的显示装置是由黄京旭;姜承镇;尹义埈;黄俊式;金钟明;吴制鸿;刘晶日;李承盿设计研发完成,并于2020-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管器件、制造其的方法和包括其的显示装置在说明书摘要公布了:提供了发光二极管LED器件、制造该LED器件的方法和包括该LED器件的显示装置。该LED器件包括具有核‑壳结构的发光层、提供为覆盖第一半导体层的顶表面的一部分的钝化层、提供在发光层上的第一电极以及提供在发光层下方的第二电极。发光层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。第一电极被提供为接触第一半导体层,第二电极被提供为接触第二半导体层。
本发明授权发光二极管器件、制造其的方法和包括其的显示装置在权利要求书中公布了:1.一种发光二极管器件,包括:发光层,包括第一半导体层、有源层和第二半导体层,所述发光层具有核-壳结构;钝化层,提供为覆盖所述第一半导体层的顶表面的一部分和所述第二半导体层的底表面的一部分;第一电极,提供在所述发光层的第一侧以接触所述第一半导体层;以及第二电极,提供在所述发光层的第二侧以接触所述第二半导体层,其中所述发光层通过形成在衬底上的膜材料层上而形成,在所述膜材料层和所述衬底之间限定空腔。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社;首尔大学校产学协力团,其通讯地址为:韩国京畿道;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。