恭喜台湾积体电路制造股份有限公司王证鈜获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利形成半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113690189B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011368887.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权形成半导体装置的方法是由王证鈜;陈冠荣;李宗霖;江文智设计研发完成，并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成半导体装置的方法在说明书摘要公布了：公开一种形成晶体保护多晶硅层的方法，所述方法在后续工艺期间不会产生有缺陷的空隙，从而为下面的装置提供有效的保护。在一个实施例中，一种形成半导体装置的方法包括：在第一多晶硅层上沉积保护涂层；在保护涂层上形成外延层；以及在外延层之上沉积第三多晶硅层，其中保护涂层包括第二多晶硅层，其中第二多晶硅层在介于600摄氏度到700摄氏度范围内的第一温度下沉积，且其中保护涂层中的第二多晶硅层被配置成当第三多晶硅层被刻蚀时保护第一多晶硅层。
本发明授权形成半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体装置的方法，包括：在第一多晶硅层上沉积保护涂层；在所述保护涂层上形成外延层；及在所述外延层之上沉积第三多晶硅层，其中所述保护涂层包括第二多晶硅层，其中所述第二多晶硅层在介于600摄氏度到700摄氏度范围内的第一温度下沉积，且其中所述保护涂层中的所述第二多晶硅层被配置成当所述第三多晶硅层被刻蚀时保护所述第一多晶硅层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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