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龙图腾网恭喜亿而得微电子股份有限公司申请的专利低成本低电压反熔丝阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613774B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011528284.3，技术领域涉及：H10B20/25；该发明授权低成本低电压反熔丝阵列是由黄文谦;黄郁婷;吴其沛设计研发完成，并于2020-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本低成本低电压反熔丝阵列在说明书摘要公布了：本发明涉及低成本低电压反熔丝阵列，所述低成本低电压反熔丝阵列包含复数子存储器阵列，在每一子存储器阵列中，所有反熔丝记忆晶胞的反熔丝晶体管具有和其他反熔丝晶体管共享的反熔丝闸极，这些反熔丝记忆晶胞两两并排配置于相邻的两位元线之间，同排的反熔丝记忆晶胞连接到不同位元线，而所有的反熔丝记忆晶胞连接到相同选择线，并分别连接到不同字线。本发明利用源极接点共享的配置方式，可达到稳固源极架构及缩小整体布局面积，同时，可使用最少的控制电压种类而减少漏电流。

本发明授权低成本低电压反熔丝阵列在权利要求书中公布了：1.一种低成本低电压反熔丝阵列，其特征在于，该低成本低电压反熔丝阵列包含：复数条平行的位元线，包含相邻的一第一位元线和一第二位元线；复数条平行的字线，与该些位元线互相垂直，并包含一第一字线、一第二字线、一第三字线与一第四字线；复数条平行的选择线，与该些字线互相平行，并包含一第一选择线；复数个子存储器阵列，每一该子存储器阵列包含：一第一反熔丝记忆晶胞，连接该第一字线、该第一选择线与该第一位元线；一第二反熔丝记忆晶胞，连接该第二字线、该第一选择线与该第二位元线；该第一反熔丝记忆晶胞与该第二反熔丝记忆晶胞在水平方向上彼此相邻；一第三反熔丝记忆晶胞，连接该第三字线、该第一选择线与该第一位元线，该第三反熔丝记忆晶胞与该第一反熔丝记忆晶胞在垂直方向上彼此相邻；及一第四反熔丝记忆晶胞，连接该第四字线、该第一选择线与该第二位元线，该第四反熔丝记忆晶胞位于该第三反熔丝记忆晶胞的水平方向与该第二反熔丝记忆晶胞的垂直方向的交叉点，且该第一反熔丝记忆晶胞、该第二反熔丝记忆晶胞、该第三反熔丝记忆晶胞与该第四反熔丝记忆晶胞位于该第一位元线和该第二位元线之间；其中，该第一反熔丝记忆晶胞、该第二反熔丝记忆晶胞、该第三反熔丝记忆晶胞与该第四反熔丝记忆晶胞都具有一反熔丝晶体管，该反熔丝晶体管的一第一闸极介电层仅有一个角落与一反熔丝闸极重叠。

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