恭喜TCL科技集团股份有限公司黄盼宁获国家专利权
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龙图腾网恭喜TCL科技集团股份有限公司申请的专利量子点发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695698B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011628345.3，技术领域涉及：H10K50/115；该发明授权量子点发光二极管及其制备方法是由黄盼宁;芦子哲设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本量子点发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法。量子点发光二极管包括第一量子点层，第一量子点层的表面结合有半胱氨酸。本发明采用半胱氨酸对第一量子点层的表面进行修饰，由于半胱氨酸含有硫代基团，该硫代基团与量子点的结合力较强，不易从量子点表面脱落，因此器件在长时间点亮的情况下不会出现类似有机分子从量子点表面脱落导致的量子点膜发生改变影响器件性能的问题，从而提高器件的稳定性和寿命。另外，半胱氨酸的链长较短，有利于电荷传输，从而提高量子点发光二极管的发光效率。此外，结合于第一量子点层表面的半胱氨酸之间可以通过脱水缩合相连，形成稳定、均匀的连接体，这样第一量子点层的成膜性更好、其表面平坦、量子点排布整齐。
本发明授权量子点发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括阳极、阴极、空穴功能层、电子功能层、设置于空穴功能层和电子功能层之间的层叠的第一量子点层和第二量子点层，第一量子点层靠近空穴功能层所在侧设置，第二量子点层靠近电子功能层所在侧设置，阳极位于空穴功能层的远离第一量子点层所在侧设置，阴极位于电子功能层的远离第二量子点层所在侧设置；第一量子点层的表面结合有半胱氨酸；第二量子点层的远离第一量子点层所在侧的表面结合有配体，配体为半胱氨酸与长链有机羧酸或长链有机胺经脱水缩合得到的配体。
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