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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113299751B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110003998.0，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体器件和方法是由黄玉莲;王冠人;傅劲逢设计研发完成，并于2021-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件和方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件和方法。在实施例中，一种结构，包括：栅极堆叠，位于衬底的沟道区域之上；源极漏极区域，与沟道区域相邻；第一层间电介质ILD层，位于源极漏极区域之上；硅化物，位于第一ILD层和源极漏极区域之间，硅化物与源极漏极区域的顶表面和源极漏极区域的底表面接触；以及第一源极漏极接触件，具有第一部分和第二部分，第一源极漏极接触件的第一部分设置在硅化物与第一ILD层之间，第一源极漏极接触件的第二部分延伸穿过第一ILD层并且与硅化物接触。

本发明授权半导体器件和方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件结构，包括：栅极堆叠，位于衬底的沟道区域之上；源极漏极区域，与所述沟道区域相邻；栅极间隔件，将所述源极漏极区域与所述栅极堆叠分开；接触蚀刻停止层CESL，沿着所述栅极间隔件的侧壁延伸；第一层间电介质ILD层，位于所述源极漏极区域之上；硅化物，位于所述第一ILD层与所述源极漏极区域之间，所述硅化物与所述源极漏极区域的顶表面和所述源极漏极区域的底表面接触；第一源极漏极接触件，具有第一部分和第二部分，所述第一源极漏极接触件的第一部分设置在所述硅化物与所述第一ILD层之间，所述第一源极漏极接触件的第二部分延伸穿过所述第一ILD层并且与所述硅化物接触；其中，所述结构还包括：空隙，位于所述CESL与所述源极漏极区域之间，所述空隙暴露所述栅极间隔件、所述硅化物和所述第一源极漏极接触件的表面；或者其中，所述CESL还沿着所述源极漏极区域的顶表面延伸；并且所述结构还包括：空隙，位于所述第一ILD层与所述源极漏极区域之间，所述空隙暴露所述CESL、所述硅化物和所述第一源极漏极接触件的表面。

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