恭喜台湾积体电路制造股份有限公司彭泰彦获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113270544B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110016446.3，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权半导体器件及方法是由彭泰彦;尹煜峰;张安胜;蔡瀚霆;傅强设计研发完成，并于2021-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件及方法。在实施例中，一种器件包括：磁阻随机存取存储器MRAM阵列，包括以行和列布置的MRAM单元，其中，列中的第一列包括：第一底部电极，沿着第一列布置；第一磁性隧道结MTJ堆叠，位于第一底部电极之上；第一共享电极，位于每个第一MTJ堆叠之上；第二底部电极，沿着第一列布置；第二MTJ堆叠，位于第二底部电极之上；第二共享电极，位于每个第二MTJ堆叠之上；位线，电连接到第一共享电极和第二共享电极。
本发明授权半导体器件及方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：磁阻随机存取存储器MRAM阵列，包括以行和列布置的MRAM单元，其中，所述列中的第一列包括：第一底部电极，沿着所述第一列布置；第一磁性隧道结MTJ堆叠，位于所述第一底部电极之上；第一共享电极，位于每个所述第一MTJ堆叠之上；第二底部电极，沿着所述第一列布置；第二MTJ堆叠，位于所述第二底部电极之上；第二共享电极，位于每个所述第二MTJ堆叠之上；以及位线，电连接到所述第一共享电极和所述第二共享电极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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