恭喜台湾积体电路制造股份有限公司林士尧获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113097304B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110019713.2，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体器件及其制造方法是由林士尧;林志翰设计研发完成，并于2021-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种方法，包括：形成有源沟道区域；形成虚设沟道区域；在有源沟道区域之上形成第一栅极电介质层；在虚设沟道区域之上形成第二栅极电介质层；从虚设沟道区域去除第二栅极电介质层；在虚设沟道区域之上并且与虚设沟道区域接触地形成栅极隔离区域；以及形成第一栅极堆叠和第二栅极堆叠。第一栅极堆叠在有源沟道区域上。栅极隔离区域将第一栅极堆叠与第二栅极堆叠分开。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括：形成有源沟道区域；形成虚设沟道区域；在所述有源沟道区域之上形成第一栅极电介质层；在所述虚设沟道区域之上形成第二栅极电介质层；从所述虚设沟道区域去除所述第二栅极电介质层；在去除所述第二栅极电介质层之后，在所述虚设沟道区域之上形成虚设栅极电极；对所述虚设栅极电极进行图案化以形成开口，其中，所述虚设沟道区域通过所述开口被暴露；在所述开口中并且与所述虚设沟道区域接触地形成栅极隔离区域；以及形成第一栅极堆叠和第二栅极堆叠，其中，所述第一栅极堆叠在所述有源沟道区域上，并且其中，所述栅极隔离区域将所述第一栅极堆叠与所述第二栅极堆叠分开。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号