恭喜台湾积体电路制造股份有限公司闵仲强获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利存储装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113838972B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110056790.5，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权存储装置及其形成方法是由闵仲强;黄昶智;曾元泰;曾国权;朱益辉设计研发完成，并于2021-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储装置及其形成方法在说明书摘要公布了：一些实施例涉及一种存储装置及其形成方法。所述存储装置包括上覆在衬底上的第一电极。数据储存层上覆在第一电极上。第二电极上覆在数据储存层上。在数据储存层内能够选择性地形成导电桥以将第一电极耦合到第二电极。活性金属层设置在数据储存层与第二电极之间。缓冲层设置在活性金属层与第二电极之间。缓冲层具有比活性金属层更低的与氧的反应性。
本发明授权存储装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储装置，包括：衬底；第一电极，上覆在所述衬底上；数据储存层，上覆在所述第一电极上；第二电极，上覆在所述数据储存层上，其中在所述数据储存层内能够选择性地形成导电桥以将所述第一电极耦合到所述第二电极；活性金属层，设置在所述数据储存层与所述第二电极之间；以及缓冲层，设置在所述活性金属层与所述第二电极之间，其中所述缓冲层具有比所述活性金属层更低的与氧的反应性，其中所述缓冲层的外侧壁与所述数据储存层的外侧壁及所述第二电极的外侧壁对齐，且所述缓冲层的所述外侧壁、所述数据储存层的所述外侧壁及所述第二电极的所述外侧壁与同一介电层接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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