恭喜台湾积体电路制造股份有限公司李璧伸获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利电阻式随机存取存储器器件、用于形成其的方法及集成芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113451507B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110055248.8，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权电阻式随机存取存储器器件、用于形成其的方法及集成芯片是由李璧伸;金海光;江法伸;匡训冲设计研发完成，并于2021-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本电阻式随机存取存储器器件、用于形成其的方法及集成芯片在说明书摘要公布了：本发明的各种实施例是关于一种电阻式随机存取存储器器件、用于形成其的方法及集成芯片，所述电阻式随机存取存储器器件包含上覆衬底的数据存储结构。底部电极上覆衬底且顶部电极上覆底部电极。数据存储结构设置于底部电极与顶部电极之间。数据存储结构包括掺杂有第一掺杂物及第二掺杂物的介电材料，其中第一掺杂物与第二掺杂物不同。
本发明授权电阻式随机存取存储器器件、用于形成其的方法及集成芯片在权利要求书中公布了：1.一种电阻式随机存取存储器器件，包括：衬底；底部电极，其上覆所述衬底；顶部电极，其上覆所述底部电极；以及数据存储结构，其设置于所述顶部电极与所述底部电极之间，其中，所述数据存储结构包括掺杂有第一掺杂物及第二掺杂物的介电材料，所述第一掺杂物与所述第二掺杂物不同，所述第一掺杂物选自由氮、硅及氟所组成的群组中的任一种，所述第二掺杂物选自由钽及铈所组成的群组中的任一种，所述介电材料包括第一原子百分比的所述第一掺杂物以及第二原子百分比的所述第二掺杂物，所述第一原子百分比在5％到10％的范围内，所述第二原子百分比在12％到18％的范围内，并且所述顶部电极包括所述第一掺杂物及或所述第二掺杂物。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号