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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113206085B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110090784.1，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体器件及方法是由林文凯;张哲豪;徐志安;卢永诚设计研发完成，并于2021-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体器件及方法。公开了用于半导体器件的改进的内部间隔件及其形成方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括：衬底；多个半导体沟道结构，在衬底之上；栅极结构，在该多个半导体沟道结构之上，该栅极结构在多个半导体沟道结构中的相邻的半导体沟道结构之间延伸；源极漏极区域，与栅极结构相邻，该源极漏极区域与半导体沟道结构接触；以及内部间隔件，插入在源极漏极区域和栅极结构之间，该内部间隔件包括：第一内部间隔件层，与栅极结构和源极漏极区域接触，该第一内部间隔件层包括硅和氮；以及第二内部间隔件层，与第一内部间隔件层和源极漏极区域接触，第二内部间隔件层包括硅、氧和氮。

本发明授权半导体器件及方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：衬底；多个半导体沟道结构，位于所述衬底之上；栅极结构，位于所述多个半导体沟道结构之上，其中，所述栅极结构在所述多个半导体沟道结构中的相邻的半导体沟道结构之间延伸；源极漏极区域，与所述栅极结构相邻，所述源极漏极区域与所述多个半导体沟道结构接触；以及内部间隔件，插入在所述源极漏极区域和所述栅极结构之间，所述内部间隔件包括：第一内部间隔件层，与所述栅极结构和所述源极漏极区域接触，所述第一内部间隔件层包括硅和氮；以及第二内部间隔件层，与所述第一内部间隔件层和所述源极漏极区域接触，所述第二内部间隔件层包括硅、氧和氮，所述第二内部间隔件层具有比所述第一内部间隔件层更低的介电常数；其中，所述内部间隔件的第一侧壁与所述源极漏极区域接触，所述第一侧壁在截面图中具有W形，并且所述源极漏极区域的侧壁具有与所述第一侧壁的W形相对应的形状。

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