恭喜慧石(上海)测控科技有限公司周志健获国家专利权
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龙图腾网恭喜慧石(上海)测控科技有限公司申请的专利压力传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112880884B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110093622.3，技术领域涉及：G01L1/18；该发明授权压力传感器及其制造方法是由周志健;余伦宙;熊娟;赵怿设计研发完成，并于2021-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本压力传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种压力传感器及其制造方法，压力传感器包括衬底结构以及顶层结构，顶层结构包括第一硅层、设于第一硅层背面的第一绝缘层、设于第一绝缘层背面的压阻层、设于第一硅层正面的顶层第一下绝缘层、形成在顶层第一下绝缘层的正面的厚半导体材料层以及包覆厚半导体材料层的顶层第二下绝缘层；第一硅层用作压力敏感膜；厚半导体材料层用作岛结构；压阻层包括至少一个压阻；衬底结构的上表面向下凹陷形成键合槽，厚半导体材料层键合于键合槽内并与键合槽形成间隙。该压力传感器在第一硅层的正面形成用作岛结构的厚半导体材料层，达到有效控制压力敏感膜的厚度一致性以及平面尺寸一致性的目的。
本发明授权压力传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种压力传感器，其特征在于：包括衬底结构以及顶层结构，所述顶层结构包括第一硅层、设于所述第一硅层背面的第一绝缘层、设于所述第一绝缘层背面的压阻层、设于所述第一硅层正面的顶层第一下绝缘层、形成在所述顶层第一下绝缘层的正面的厚半导体材料层以及包覆所述厚半导体材料层的顶层第二下绝缘层；所述第一硅层用作压力敏感膜；所述厚半导体材料层用作岛结构；所述压阻层包括至少一个压阻；所述衬底结构还包括中部硅材料层以及形成在所述中部硅材料层的上表面的衬底上绝缘层；所述衬底结构的上表面向下凹陷形成键合槽，所述厚半导体材料层键合于所述键合槽内并与所述键合槽形成间隙。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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