恭喜中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司罗浩获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823477B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110111383.X，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体结构及其形成方法是由罗浩设计研发完成，并于2021-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：第一晶圆，所述第一晶圆表面形成有若干第一介质层以及位于所述若干第一介质层之间的空气层；若干支撑结构，位于所述若干第一介质层和空气层中用于支撑所述若干第一介质层，所述支撑结构的底面低于第一层空气层的底面，高于第一层第一介质层的底面。本申请所述的半导体结构及其形成方法，在RF‑SOI器件的埋氧层中形成空气层，降低埋氧层的介电常数，从而降低硅薄膜和硅衬底之间的电容，可以提高RF‑SOI器件的线性度。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆；在所述第一晶圆表面形成堆叠层，所述堆叠层包括若干交替堆叠的第一介质层和第二介质层，其中所述堆叠层的起始层和顶层都为第一介质层；在所述堆叠层中形成若干支撑结构，用于支撑所述第一介质层，所述支撑结构的底面低于第一层第二介质层的底面，高于第一层第一介质层的底面，所述第一层第二介质层为最靠近所述第一晶圆的第二介质层，所述第一层第一介质层为最靠近所述第一晶圆的第一介质层；提供第二晶圆，所述第二晶圆包括第二衬底以及包围所述第二衬底的保护介质层；将所述第二晶圆与所述堆叠层的顶层键合；去除部分所述第二晶圆，形成绝缘体上硅结构；去除有源区之外的第二衬底以及保护介质层；刻蚀有源区之外的部分堆叠层至去除部分起始层，形成沟槽；去除所述第二介质层形成空气层；填充所述沟槽以及支撑结构远离有源区一侧的空气层形成隔离结构。
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