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龙图腾网恭喜瑶芯微(上海)电子科技股份有限公司申请的专利一种功率开关器件结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113299754B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110383111.5，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种功率开关器件结构及其制作方法是由郭亮良设计研发完成，并于2021-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率开关器件结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种功率开关器件结构及其制作方法，该功率开关器件结构包括漏极层、衬底、第一导电类型外延层、层间介质层、源极层及栅极层，其中外延层中含有栅极沟槽与耐压沟槽；所述栅极沟槽中的第一控制栅层与第二控制栅层电连接至所述栅极层，屏蔽栅层、第二导电类型体区及第一导电类型源区电连接至所述源极层，所述耐压沟槽中的第一导电层、第二导电层、第三导电层、所述耐压沟槽左侧第二导电类型体区及所述耐压结构右侧的第二导电类型体区电连接至所述源极层。本发明的功率开关器件结构中的沟槽栅结构能够降低栅漏电容Cgd，耐压结构能够增大漏源电容Cds及增强器件的耐压能力，进而有效的提高了功率开关器件的抗漏极电压震荡能力和耐压能力。

本发明授权一种功率开关器件结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种功率开关器件结构，其特征在于，包括：叠层结构，包括在垂直方向上依次堆叠的漏极层、衬底、第一导电类型外延层、层间介质层、源极层及栅极层；沟槽栅结构，包括栅极沟槽及位于所述栅极沟槽中的场板、第一控制栅层、第二控制栅层、屏蔽栅层、第一栅介质层及第二栅介质层，其中，所述栅极沟槽自所述外延层顶面开口，并往所述外延层的底面方向延伸，但未贯穿所述外延层的底面；所述场板位于所述栅极沟槽底部；所述第一控制栅层、所述第二控制栅层及所述屏蔽栅层均位于所述场板上方，且所述屏蔽栅层在水平方向上位于所述第一控制栅层与所述第二控制栅层之间，所述第一控制栅层与所述第二控制栅层的底面均高于所述屏蔽栅的底面，所述第一控制栅层与所述第二控制栅层分别通过第一接触孔与第二接触孔电连接至所述栅极层，所述屏蔽栅层通过第三接触孔电连接至所述源极层；所述第一栅介质层包围所述第一控制栅层的侧面与底部，所述第二栅介质层包围所述第二控制栅层的侧面与底部；第二导电类型体区，位于所述外延层的顶部并分布于所述沟槽栅结构左右两侧，且所述体区的底面不低于所述第一控制栅层及第二控制栅层的底面；第一导电类型源区，位于所述体区的顶部并通过第四接触孔电连接至所述源极层，且所述源区的底面不低于所述体区的底面；所述功率开关器件结构还包括耐压结构，所述耐压结构包括耐压沟槽及位于所述耐压沟槽中的绝缘层、第一导电层、第二导电层、第三导电层、第一隔离层及第二隔离层，所述体区还分布于所述耐压沟槽两侧，其中，所述体区分布于所述耐压沟槽两侧的部分作为所述耐压结构的组成部分，所述耐压沟槽自所述外延层顶面开口，并往所述外延层的底面方向延伸，但未贯穿所述外延层的底面，所述耐压沟槽在水平方向上与所述栅极沟槽间隔预设距离；所述绝缘层位于所述耐压沟槽底部；所述第一导电层、所述第二导电层及所述第三导电层均位于所述绝缘层上方，且所述第三导电层在水平方向上位于所述第一导电层与所述第二导电层之间，所述第一导电层与所述第二导电层的底面均高于所述第三导电层的底面；所述第一导电层、所述第二导电层及所述第三导电层分别通过第五接触孔、第六接触孔及第七接触孔电连接至所述源极层；所述第一隔离层包围所述第一导电层的侧面与底部，所述第二隔离层包围所述第二导电层的侧面与底部。

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