恭喜台湾积体电路制造股份有限公司许桀豪获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113380790B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110425311.2，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权半导体装置结构及其制造方法是由许桀豪;凃伟祥;张国钦;李明机设计研发完成，并于2021-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置结构及其制造方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体装置结构及其制造方法。半导体装置结构包括形成于一导电特征部件上的一第一绝缘层及埋设于第一绝缘层内的一电容器结构。半导体装置也包括形成于第一绝缘层上且对应于电容器结构的一接合垫。接合垫具有一上表面及一多阶边缘，以形成至少三个转角。另外，半导体装置结构包括一第二绝缘层，顺应性覆盖由接合垫的上表面及多阶边缘形成的至少三个转角。
本发明授权半导体装置结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置结构，包括：一第一绝缘层，形成于一导电特征部件上；一电容器结构，埋设于该第一绝缘层内；一接合垫，形成于该第一绝缘层上，且对应于该电容器结构，其中该接合垫具有一上表面及一多阶边缘，以形成至少三个转角；一第二绝缘层，顺应性覆盖由该接合垫的该上表面及该多阶边缘形成的该至少三个转角；一第三绝缘层，形成于该第二绝缘层上；以及一凸块下金属层，形成于该第三绝缘层上，且穿过该第三绝缘层及该第二绝缘层，以接触该接合垫的该上表面。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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