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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利底层组成物与半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113296359B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110558807.7，技术领域涉及：G03F7/004；该发明授权底层组成物与半导体装置的制造方法是由陈建志设计研发完成，并于2021-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本底层组成物与半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：制造半导体装置的方法包含在基板上形成底层。底层包含具有侧链目标基团与侧链有机基团或侧链光酸产生剂基团的主聚合物链的聚合物。主聚合物链为聚苯乙烯、聚羟基苯乙烯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸、聚乙烯基酯、聚甲基丙烯腈或聚甲基丙烯酰胺。侧链目标基团为取代或无取代的C2至C30二元醇基、C1至C30醛基或C3至C30酮基。侧链有机基团为具有光敏性官能团的C3至C30脂肪族或芳香基，且侧链光酸产生剂基团为被取代的C3至C50脂肪族或芳香基。在底层上形成光阻层。选择性地曝光光阻层。显影曝光的光阻层以形成图案。

本发明授权底层组成物与半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：形成一光阻底层于一半导体基板上，其中所述光阻底层包含一聚合物，包含：一主聚合物链，具有多个侧链目标基团，与多个侧链有机基团或多个侧链光酸产生剂基团，其中所述主聚合物链从包含下列的一群组中选出：聚苯乙烯、聚羟基苯乙烯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸、聚乙烯基酯、聚马来酸酯、聚甲基丙烯腈与聚甲基丙烯酰胺，其中所述多个侧链目标基团为从包含下列的一群组中选出的被取代或无取代的一个或多个：C2至C30的二元醇基团、C1至C30的醛基与C3至C30的酮基，其中所述多个侧链有机基团为具有至少一个光敏性官能团的C3至C30的脂肪族或芳香族基团，所述光敏性官能团从包含下列的一群组中选出：环氧基、偶氮基、烷基卤化物基团、亚胺基、烯基、炔基、过氧化基与其组合，且其中所述多个侧链光酸产生剂基团从包含下列的一群组中选出：鎓盐、锍盐、三苯基锍三氟甲磺酸盐、三苯基锍全氟丁磺酸盐、二甲基锍三氟甲磺酸盐、錪盐、二苯基錪鎓全氟丁磺酸盐、降冰片烯二甲酰亚胺基全氟丁磺酸盐、氟化三嗪、重氮盐、芳香族重氮盐、鏻盐、酰亚胺磺酸盐、肟磺酸盐、重氮基二砜、二砜、邻硝基苯甲基磺酸盐、磺酸化酯、卤化磺酰氧基二甲酰亚胺、α-氰基氧胺磺酸盐、酮基重氮基砜、磺酰基重氮酯、1,2-二芳基磺酰联胺、硝基苯甲基酯与s-三嗪；形成一光阻层于所述光阻底层上；选择性地在一光化辐射下曝光所述光阻层与所述光阻底层；于在所述光化辐射下曝光的所述光阻底层的多个部分中产生一化学报导分子；藉由所述化学报导分子与所述多个侧链目标基团之间的一相互作用产生一小分子于在所述光化辐射下曝光的所述光阻底层的所述多个部分中；将所述光阻底层的所述多个部分中的所述小分子扩散至对应的所述光阻层的多个部分，对应的所述光阻层的所述多个部分在所述光化辐射下曝光，其中所述小分子为水；及显影经选择性曝光的所述光阻层以形成一光阻图案。

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