恭喜台湾积体电路制造股份有限公司吴逸文获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113539844B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110635733.2，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权半导体装置及其制造方法是由吴逸文;庄博尧;林孟良;翁得期;洪士庭;蔡柏豪;郑心圃设计研发完成，并于2021-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体装置及其制造方法。可使用异相装置以及不对称的双面成型封装技术，在多层重分布结构上制造半导体装置。半导体装置可形成为具有小的轮廓的异相三维扇出晶粒封装结构，且可使用单个承载基板来形成半导体装置。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置制造方法，包括：在一承载基板上方沉积一第一介电层；将一第一装置粘附到该第一介电层；将该第一装置密封在一第一成型化合物中；在该第一装置上方形成一内连线结构，其中该内连线结构以及该第一装置之间的一第一界面具有一第一形状；在该内连线结构上方放置一第二装置，该内连线结构将该第二装置电性耦接到该第一装置，其中该内连线结构以及该第二装置之间的一第二界面具有一第二形状，该第一形状与该第二形状不同，其中，该第一形状是一平坦表面，且该第二形状是一凹形，该凹形具有一第一宽度，该平坦表面具有一第二宽度，且该第一宽度与该第二宽度的比值介于3与7之间，且包括3和7；以及于在该内连线结构上方放置该第二装置的操作之后，将该第二装置密封在一第二成型化合物中。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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