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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利用于水平定向的存取装置的数字线形成获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068554B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110856364.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权用于水平定向的存取装置的数字线形成是由T·B·麦克丹尼尔;李时雨;V·奈尔;L·富马加利设计研发完成，并于2021-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于水平定向的存取装置的数字线形成在说明书摘要公布了：提供用于水平定向的存取装置的数字线形成的系统、方法和设备。一种实例方法包含以竖直重复叠加方式形成第一电介质材料、低掺杂半导体材料和第二电介质材料的层以此形成竖直堆叠；在所述竖直堆叠中形成竖直开口；选择性地蚀刻所述第二电介质材料以在所述第二电介质材料中形成水平开口；将掺杂剂在所述水平开口中的所述低掺杂半导体材料的顶表面上气相掺杂以形成源极漏极区；在所述水平开口中形成高掺杂半导体材料；选择性地蚀刻形成于所述水平开口中的所述高掺杂半导体材料，使得保留所述高掺杂半导体材料的一部分；和将所述剩余高掺杂半导体材料转化成具有不同于所述剩余高掺杂半导体材料的特性的特性的导电材料。

本发明授权用于水平定向的存取装置的数字线形成在权利要求书中公布了：1.一种用于形成具有水平定向的存取装置230、901和竖直定向的存取线103、203、303、540、640、740、840的竖直堆叠存储器单元110的阵列101、1010的方法，其包括：以竖直重复迭代方式形成第一电介质材料430、530、630、730、830、930、低掺杂半导体材料432、532、632、732、832和第二电介质材料433、533、633、733、833的层以形成竖直堆叠401；在所述竖直堆叠401中形成竖直开口471；选择性地蚀刻所述第二电介质材料433、533、633、733、833以在所述第二电介质材料433、533、633、733、833中形成水平开口473；将掺杂剂气相掺杂到所述水平开口473中的所述低掺杂半导体材料432、532、632、732、832的顶表面478中以形成源极漏极区475、775、875、975；在所述水平开口473中形成高掺杂半导体材料482；选择性地蚀刻形成于所述水平开口473中的所述高掺杂半导体材料482，以使得保留所述高掺杂半导体材料482的一部分；和将所述剩余高掺杂半导体材料482转化成具有不同于所述剩余高掺杂半导体材料482的特性的特性的导电材料477。

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