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龙图腾网恭喜北京科技大学申请的专利基于N掺杂的SiC纳米结构阵列构建的具有全天候服役能力的压电纳米发电机的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171673B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111269516.2，技术领域涉及：H10N30/01；该发明授权基于N掺杂的SiC纳米结构阵列构建的具有全天候服役能力的压电纳米发电机的制备方法是由侯新梅;周林林;杨涛;王恩会;方志;郑亚鹏;薛优;刘爽;吕煜诚;徐兵;邢原铭;王博设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于N掺杂的SiC纳米结构阵列构建的具有全天候服役能力的压电纳米发电机的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于N掺杂的SiC纳米结构阵列构建的具有全天候服役能力的压电纳米发电机的制备方法，属于无机非金属材料科学与能源材料技术领域，其步骤包括：制备N掺杂的碳化硅，制备自支撑的碳化硅纳米结构阵列薄膜，对碳化硅纳米结构阵列薄膜性能优化，及构筑具有全天候服役能力的压电纳米发电机等过程。本发明提供的基于N掺杂的SiC纳米结构阵列构建的具有全天候服役能力的压电纳米发电机的制备方法，制得的压电纳米发电机受到沿厚度方向的外力时，在宏观上表现出显著的电信号输出。并且，制得的压电纳米发电机在‑80℃～80℃的温度和0‑100％的相对湿度条件下工作300‑500天仍然能够保持稳定输出。

本发明授权基于N掺杂的SiC纳米结构阵列构建的具有全天候服役能力的压电纳米发电机的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于N掺杂的SiC纳米结构阵列构建的具有全天候服役能力的压电纳米发电机的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：制备N掺杂的碳化硅：以N2O5为氮源，在温度1000-1500℃、气压100-500Pa，氩气气氛保护下对碳化硅单晶片掺杂1-20小时，得到氮掺杂浓度为0.1-10mol％的碳化硅；制备自支撑的碳化硅纳米结构阵列薄膜：对N掺杂的碳化硅的碳面或硅面电化学刻蚀，形成厚度在50-300μm、形貌为纳米孔、纳米带、纳米棒或纳米线的碳化硅纳米结构阵列薄膜；对碳化硅纳米结构阵列薄膜性能优化：包括，在空气或氧气气氛中，将形成碳化硅纳米结构阵列薄膜的碳化硅在1300-1800℃的温度下保温1-24h，使碳化硅表面形成SiO2氧化层；将分散有导电填料的聚合物涂覆在表面形成SiO2氧化层的碳化硅的碳化硅纳米结构阵列薄膜上，烘干后形成厚度为100-500μm的导电填料聚合物涂覆层；利用等离子清洗碳化硅纳米结构阵列薄膜上的聚合物，至纳米结构阵列裸露10-50μm；在碳化硅纳米结构阵列薄膜上旋涂一层不含导电填料的聚合物，烘干后形成厚度为20-80μm的不含导电填料的聚合物层；构筑具有全天候服役能力的压电纳米发电机：在碳化硅两面分别磁控溅射一层厚度为10-100nm的金属作为上下电极，引出导线后将整个器件封装在基板上，得到具有全天候服役能力的压电纳米发电机。

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