恭喜昆明物理研究所赵鹏获国家专利权
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龙图腾网恭喜昆明物理研究所申请的专利一种倒置3μm~4.2μm nBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130544B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111350763.5，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权一种倒置3μm~4.2μm nBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法是由赵鹏;邓功荣;杨文运;陈冬琼;李德香;肖婷婷;岳彪;朱琴;施静梅;杨绍培;袁俊;黄晖设计研发完成，并于2021-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种倒置3μm~4.2μm nBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种倒置3μm～4.2μmnBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法，属于光电子材料与器件技术领域。所述材料的结构从上向下依次为顶电极接触层、吸收层、势垒层、底电极接触层、缓冲层和衬底；采用分子术外延法制备得到。所述材料采用倒置nBn结构，在不增大器件表面漏电流的情况下有效减小器件横向扩散电流，进而降低器件暗电流；所述材料通过设定其中Sb组分的组成，保证吸收波长处于大气窗口的3μm～4.2μm红外中波段；所述材料势垒层采用非故意掺杂AlAs0.08Sb0.92单晶作为材料，构成导带势垒来阻止多数载流子的导电，不存在耗尽区的产生‑复合电流和带间隧穿电流。
本发明授权一种倒置3μm~4.2μm nBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种倒置3μm～4.2μmnBn型InAsSb红外探测器材料，其特征在于：所述材料的结构从上向下依次为顶电极接触层1、吸收层2、势垒层3、底电极接触层4、缓冲层5和衬底6；顶电极接触层1的材料为掺杂硅Si的n型InAs0.91Sb0.09单晶；吸收层2的材料为非故意掺杂的InAs0.91Sb0.09单晶；势垒层3的材料为非故意掺杂AlAs0.08Sb0.92单晶；底电极接触层4的材料为掺杂Si的n型InAs0.91Sb0.09单晶；缓冲层5的材料为非故意掺杂的GaSb；衬底6的材料为掺杂碲Te的n型GaSb。
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