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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利LDMOS器件的源端工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188404B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111440107.4，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权LDMOS器件的源端工艺方法是由王星杰;杨新杰设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本LDMOS器件的源端工艺方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种LDMOS器件的源端工艺方法，在衬底或外延表面涂覆光刻胶，然后在LDMOS器件源端打开光刻胶形成源端的注入窗口，对源端进行第一次离子注入，在衬底或者外延中形成源区；然后对源区光刻胶进行部分去除，形成新的源端注入窗口，重新定义出源区及沟道；在重新形成的源区窗口的定义下对窗口内的多晶硅层进行刻蚀，去除窗口内的多晶硅层，露出多晶硅层下方的氧化硅层；对源区窗口内进行第二次掺杂离子注入。本发明在高能量注入后，通过再次干法刻蚀少量去胶及多晶硅刻蚀重新定义LDMOS的沟道，以减少高能量注入对LDMOS沟道的影响。

本发明授权LDMOS器件的源端工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS器件的源端工艺方法，其特征在于：包括衬底或外延、位于所述衬底或外延上表面的氧化硅层、位于所述氧化硅层上表面的多晶硅层；步骤一：在所述多晶硅层上表面涂覆光刻胶，然后在LDMOS器件源端打开光刻胶形成源端的注入窗口，对源端进行第一次离子注入，在衬底或者外延中形成源区；注入窗口内的光刻胶侧壁呈倾斜状态，第一次离子注入后，离子穿过倾斜的窗口内的光刻胶侧壁，在衬底或者外延中除形成源区外，还额外形成掺杂源注入区，其形成于源区边缘，注入深度小于源区；步骤二：然后对源区光刻胶进行刻蚀，形成扩大的源端注入窗口，扩大窗口区域之后，使得50-100％面积的掺杂源注入区也在所述扩大的源端注入窗口打开的范围之内，重新定义出源区及沟道；步骤三：在所述扩大的源端注入窗口的定义下对窗口内的多晶硅层进行刻蚀，去除窗口内的多晶硅层，露出多晶硅层下方的氧化硅层；步骤四：对源区所述扩大的源端注入窗口内进行第二次掺杂离子注入。

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