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恭喜晶元光电股份有限公司吴宜翰获国家专利权

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龙图腾网恭喜晶元光电股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN222827608U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202221777098.8,技术领域涉及:H10H20/831;该实用新型半导体装置是由吴宜翰;黄国峰;金明达;江政兴;黄文镝;廖富祥;沈庆兴;高慧芳;周允中;温宛颐;吕俊翰设计研发完成,并于2021-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

半导体装置在说明书摘要公布了:本实用新型公开一种半导体装置,包含:一外延结构,包含一第一半导体结构具有一第一部分及一第二部分、一活性结构及一第二半导体结构位于该第二部分上;一第一电极,包含一第一表面位于该第一部分上及一第二表面位于该第二半导体结构上,且该第一表面及该第二表面具有一高度差,该第一电极具有第一面积A1且具有一部分位于该第二半导体结构上;一第二电极,位于该第二半导体结构上;一绝缘结构,位于该第一电极与该第一部分之间;以及粘结层,与该绝缘结构互相接触;其中,该第二半导体结构被该第一电极覆盖的面积定义为第二面积A2,A2A1为48%~60%。

本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置,其特征在于,该半导体装置包含:外延结构,包含第一半导体结构具有第一部分及第二部分、活性结构及第二半导体结构位于该第二部分上;第一电极,包含第一表面位于该第一部分上及第二表面位于该第二半导体结构上,且该第一表面及该第二表面具有一高度差,该第一电极具有第一面积A1且具有一部分位于该第二半导体结构上;第二电极,位于该第二半导体结构上;绝缘结构,位于该第一电极与该第一部分之间;以及粘结层,与该绝缘结构互相接触;其中,该第二半导体结构被该第一电极覆盖的面积定义为第二面积A2,A2A1为48%~60%。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人晶元光电股份有限公司,其通讯地址为:中国台湾新竹市;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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